国产SiC碳硅MOSFET率器件供应商-基本公司™SiC碳硅MOSFET模块正在替代英飞凌三菱赛米控富士IGBT模块!
基本SiC模块替代Infineon英飞凌IGBT模块，基本SiC模块替代三菱IPM模块，基本SiC模块替代Semikron赛米控IGBT模块，基本SiC模块替代赛米控丹佛斯率模块，基本SiC模块替代Fuji富士IGBT模块！
使用国产SiC碳硅MOSFET率器件供应商-基本公司™SiC碳硅MOSFET打造全SiC碳硅电力电子系统！-倾佳电子（Changer Tech）业分销
使用国产SiC碳硅MOSFET率器件供应商-基本公司™SiC碳硅MOSFET升传统IGBT变流器，实现高的变流率，小的变流积重量！低的变流成本！

随着铜价暴涨高烧不退，如何电感等磁元件成本将成为电力电子制造商的一大点，使用国产SiC碳硅MOSFET率器件供应商-基本公司™碳硅MOSFET管或者模块替代IGBT管或模块，可以显著提频系统综合成本（电感磁元件，散热系统，整机重量），电力电子系统的全碳SiC时代，未来已来！倾佳电子（Changer Tech）业分销国产SiC碳硅MOSFET率器件供应商-基本公司™SiC碳硅MOSFET！

倾佳电子（Changer Tech）致力于国产SiC碳硅MOSFET率器件供应商-基本公司™国产碳硅（SiC）MOSFET在电力电子应用中全面取代IGBT，全力推动国产SiC碳硅MOSFET率器件供应商-基本公司™国产碳硅（SiC）MOSFET加速革掉IGBT的！Changer Tech is making every effort to promote the domestic BASiC silicon carbide (SiC) MOSFET to accelerate the replacement of IGBT!

倾佳电子（Changer Tech）业分销国产SiC碳硅MOSFET率器件供应商-基本公司™2000V系列SiC碳硅MOSFET-国产替代英飞凌IMYH200R100M1H，IMYH200R075M1H，IMYH200R050M1H，IMYH200R024M1H，IMYH200R012M1H，DF4-19MR20W3M1HF_B11，FF4MR20KM1HP，FF3MR20KM1H，FF5MR20KM1HP，FF5MR20KM1H，FF4MR20KM1H，FF3MR20KM1HP。

基本公司™SiC碳硅MOSFET率模块兼容替代Infineon英飞凌FF900R12ME7W_B11，FF900R17ME7W_B11，FF450R12KT4，FF600R12ME4_B72，FF750R12ME7_B11，FF900R12ME7P_B11，IFF600B12ME4_B11，FF600R12KE4

基本公司™SiC碳硅MOSFET率模块兼容替代赛米控丹佛斯SK40MD120CR03ETE1，SK40MB120CR03TE1，SKKE60S12，SK80MB120CR03TE1，SK150MB120CR03TE2，SK200MB120CR03TE2，SKM125KD12SC，SK250MB120CR03TE2V1，SK250MB120CR03TE2，SKM350MB120SCH15，SKM350MB120SCH17，SKM500MB120SC，SKM260MB170SCH17

基本公司™SiC碳硅MOSFET率模块兼容替代FUJI富士2MBI600XHA120-50，2MBI450XHA120-50，2MBI450XNA120-50，2MBI600XNG120-50，2MBI800XNE120-50，2MBI1000XRNE120-50，2MBI450XNA170-50，2MBI600XNG170-50，2MBI800XRNE170-50，2CSI300DAHE120-50，2CSI450DAHE120-50，2CSI600DAHE120-50，2CSI200DAHE170-50，2CSI300DAHE170-50，2CSI400DAHE170-50

倾佳电子（Changer Tech）致力于国产SiC碳硅MOSFET率器件供应商-基本公司™国产碳硅（SiC）MOSFET率器件在电力电子--场的推广！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which --mitted to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!

国产SiC碳硅MOSFET率器件供应商-基本公司™2000V系列SiC碳硅MOSFET适用于1500V光储系统，1500V系统大组串SiC光伏逆变器，1500V系统储能变流器PCS，1500V系统固态断路器，固态变压器等。

大组串IGBT光伏逆变器MPPT传统上使用飞跨电容IGBT方案，控制杂，频率低，采用国产SiC碳硅MOSFET率器件供应商-基本公司™2000V系列SiC碳硅MOSFET进行两电平造，控制简可靠，频率提升，电感成本，MPPT部分提升率，成本。

IGBT芯片技术不断发展，但是从一代芯片到下一代芯片获得的进幅度越来越小。这表明IGBT每一代新芯片都越来越接近材料本身的物限。SiC MOSFET宽禁带半导提供了实现半导总率耗的显著的可能。使用SiC MOSFET可以开关耗，从而提高开关频率。进一步的，可以--滤波器组件，相应的耗会下，从而全面少系统耗。通过采用低电感SiC MOSFET率模块，与同样封装的Si IGBT模块相比，率耗可以约70左右，可以将开关频率提5倍（实现显著的滤波器--），同时保持高结温低于大规定值。

未来随着设备和工艺能力的推进，小的元胞尺寸、低的比导通电阻、低的开关耗、好的栅保是SiC碳硅MOSFET技术的主要发展方向，现在应用端上则是好的能和高的可靠。
为此，BASiC™国产SiC碳硅MOSFET率器件供应商-基本公司™研发推出高能的第三代碳硅MOSFET，该系列产品进一步--钝层，提升可靠，相比上一代产品拥有低比导通电阻、器件开关耗，以及高可靠等--越能，可助力光伏储能、新能源汽车、直流充、工业电源、通信电源、伺服驱动、APF/SVG、热泵驱动、工业变频器、逆变焊机、四象限工业变频器等行业实现为出色的能源率和应用可靠。

为满足光伏储能域高电压、大率的应用需求，BASiC™国产SiC碳硅MOSFET率器件供应商-基本公司™基于第二代SiC MOSFET技术平台开发推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高压系列碳硅MOSFET，产品具有低导通电阻、低导通耗、低开关耗、支持高开关频率运行等特点。
对新能源汽车的应用需求，BASiC™国产SiC碳硅MOSFET率器件供应商-基本公司™研发推出符合AEC-Q101认和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳硅MOSFET，可主要应用在车载充电机及汽车空调压缩机驱动中。
B3M040120Z是BASiC™国产SiC碳硅MOSFET率器件供应商-基本公司™基于第三代碳硅MOSFET技术平台开发的新产品，该系列产品进一步--钝层，提升可靠，相对于上一代产品在比导通电阻、开关耗以及可靠方面有进一步提升。
BMF240R12E2G3是BASiC™国产SiC碳硅MOSFET率器件供应商-基本公司™基于PcoreTM2 E2B封装的1200V 5.5mΩ工业全碳硅半桥率模块，产品采用集成的NTC温度传感器、Press-Fit压接技术以及高封装可靠的氮硅AMB陶瓷基板，在导通电阻、开关耗、误导通、双退等方面表现出色。
B2M040120T和B2M080120T是BASiC™国产SiC碳硅MOSFET率器件供应商-基本公司™基于第二代碳硅MOSFET技术开发的顶部散热内绝缘的塑封半桥模块，主要应用于OBC、空调压缩机和工业电源中。
BASiC™国产SiC碳硅MOSFET率器件供应商-基本公司™推出可支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片BTD25350系列，此驱动芯片为碳硅MOSFET门驱动设计，可高可靠抑制碳硅MOSFET的误开通，还可用于驱动MOSFET、IGBT等率器件。


为了保持电力电子系统竞争--势，同时也为了使用户获得经济益，一定程度的率和紧凑成为每一种电力电子应用率转换应用的--势所在。随着IGBT技术到达发展瓶颈，加上SiC MOSFET--成本持续下，使用SiC MOSFET替代升IGBT已经成为各类型电力电子应用的主流趋势。


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倾佳电子（Changer Tech）-业汽车连接器及率半导(SiC碳硅MOSFET管，SiC碳硅MOSFET模块，碳硅SiC-MOSFET，氮镓GaN，驱动IC)分销商，聚焦新能源、交通电动、数字转型三大方向，致力于服务中国工业电源，电力电子装备及新能源汽车产业链。在新型能源系的发展趋势场景下，合数字技术、电力电子技术、热管技术和储能管技术，以实现发电的低碳、用能的电气和用电的高，以及“源、网、荷、储、车”的协同发展。倾佳电子（Changer Tech）-以技术创新为导向，将不断创新技术和产品，坚定不移与产业和合作伙伴携手，积参与数字能源产业生态，为客户提供高--汽车智能互联连接器与线束，新能源汽车连接器，新能源汽车高压连接器与线束，直流充电座，耐高压连接器&插座，创新型车规互联产品，包括线对板、板对板、输入输出、电源管和FFC-FPC连接器，涵盖2充电站和可在30分钟内为EV电池充满电的3超速充电站的高能电源连接器，用于地下无线充电的IP67封连接器。以及以技术创新为导向的各类率半导器件：车规碳硅(SiC)MOSFET，大容量RC-IGBT模块，碳硅(SiC)MOSFET模块，IGBT模块，国产碳硅(SiC)MOSFET，IPM模块，IGBT管，混合IGBT管，三电平IGBT模块，混合IGBT模块，光伏MPPT碳硅MOSFET，伺服驱动SiC碳硅MOSFET，逆变焊机国产SiC碳硅MOSFET，OBC车载SiC碳硅MOSFET，储能变流器PCS碳硅MOSFET模块，充电桩电源模块碳硅MOSFET，国产氮镓GaN，隔离驱动IC等产品，倾佳电子（Changer Tech）全面服务于中国新能源汽车行业，新能源汽车电控系统，电力电子装备，新能源汽车充电桩系统，全液冷超充，高率度风冷充电模块，液冷充电模块，欧标充电桩，车载DCDC模块，国网三充电模块光储变流器，分布式能源、虚拟电厂、智能充电网络、V2X、综合智慧能源、智能微电网智能光储，智能组串式储能等行业应用，倾佳电子（Changer Tech）为实现零碳发电、零碳数据中心、零碳网络、零碳庭等新能源发展目标奋斗，从而为实现一个零碳地球做出贡献，迈向数字能源新时代！