基本半导全碳硅MOSFET模块，Easy封装全碳硅MOSFET模块，62mm封装全碳硅MOSFET模块，Full SiC Module，SiC MOSFET模块适用于充电桩，V2G充电桩，高压柔直流输电智能电网(HVDC)，空调热泵驱动，机车电源，储能变流器PCS,光伏逆变器,超高频逆变焊机，超高频伺服驱动器，高速电机变频器等. 光伏逆变器用直流升压模块BOOST Module-光伏MPPT，PV Inverter交流双拼 ANPC 拓扑逆变模块。储能PCS变流器ANPC三电平碳硅MOSFET模块，光储碳硅MOSFET。
基本半导再度亮相全球大率半导展会——PCIM Europe 2023，在德国纽伦堡正式发布第二代碳硅MOSFET新品。新一代产品能大幅提升，产品类型进一步丰富，助力新能源汽车、直流充、光伏储能、工业电源、通信电源等行业实现为出色的能源率和应用可靠。
碳硅MOSFET具有--秀的高频、高压、高温能，是目前电力电子域受关注的宽禁带率半导器件。在电力电子系统中应用碳硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件，可提高率回路开关频率，提升系统率及率度，系统综合成本。
基本半导第二代碳硅MOSFET系列新品基于6英寸晶圆平台进行开发，比上一代产品在比导通电阻、开关耗以及可靠等方面表现为出色。在原有TO-247-3、TO-247-4封装的产品基础上，基本半导还推出了带有源的TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227封装的碳硅MOSFET器件，以好地满足客户需求。
基本半导第二代碳硅MOSFET亮点
低比导通电阻：第二代碳硅MOSFET通过综合--芯片设计方案，比导通电阻约40，产品能显著提升。
低器件开关耗：第二代碳硅MOSFET器件Qg了约60，开关耗了约30。反向传输电容Crss，提高器件的干扰能力，器件在串扰行为下误导通的。
高可靠：第二代碳硅MOSFET通过高标准的HTGB、HTRB和H3TRB可靠考-，产品可靠表现出色。
高工作结温：第二代碳硅MOSFET工作结温达到175°C，提高器件高温工作能力。
基本半导第二代碳硅SiC MOSFET主要有B2M065120H，B2M065120Z，B2M065120R，B2M040120H，B2M040120Z，B2M040120R，B2M035120YP，B2M020120H，B2M020120Z，B2M020120R，B2M1000170H，B2M1000170Z，B2M1000170R，B2M0242000Z。适用大率电力电子装置的SiC MOSFET模块，半桥SiC MOSFET模块，ANPC三电平碳硅MOSFET模块，T型三电平模块，MPPT BOOST SiC MOSFET模块。
B2M030120Z国产替代英飞凌IMZA120R030M1H，安森美NTH4L030N120M3S以及C3M0032120K。
B2M0242000Z国产替代英飞凌IMYH200R024M1H。
B2M035120YP，B2M040120Z国产替代英飞凌IMZA120R040M1H，安森美NTH4L040N120M3S，NTH4L040N120SC1以及C3M0040120K。
B2M020120Z国产替代英飞凌IMZA120R020M1H，安森美NTH4L020N120SC1，NTH4L022N120M3S以及C3M0021120K。
B2M1000170R国产代替英飞凌IMBF170R1K0M1，安森美NTBG1000N170M1以及C2M1000170J。
B2M065120H国产代替安森美NTHL070N120M3S。
B2M065120Z国产代替英飞凌IMZ120R060M1H，安森美NVH4L070N120M3S以及C3M0075120K-A
NPC（Neutral Point Clamped）三电平拓扑结构是一种应用为广泛的多电平拓扑结构。近年来随着电力电子技术在电力行业的发展，NPC三电平技术开始越来越多的应用到各个域，包括光伏逆变器、风电变流器、高压变频器、UPS、APF/SVG、高频电源等都有着广泛的应用。NPC拓扑常用的有两种结构，是我们常说的“I”字型（也称NPC1）和“T”字型（也称NPC2、MNPC、TNPC、NPP等）。另外ANPC也是一种NPC1的进型，这些年随着器件的发展，ANPC也开始有一些适合的应用。
在分时电价完、峰谷电价差拉大、限电事件频发等多重因素驱动下，业储能的经济明显提升。业储能是用户侧储能系统的主要类型之一，可以大提升光伏自发自用率，业业主的电费开支，助力企业节能排。
业储能装机有望在策鼓励、限电-激、电价革等因素-激下进入高速增长期，合增速有望持续飙升。